厦门超级独角兽瀚天天成冲击IPO:碳化硅半导体外延晶片赛道解析


近日,厦门企业瀚天天成正向港交所发起IPO冲刺。作为全球首家实现8英寸碳化硅(SiC)外延片大规模量产的企业,其核心产品为碳化硅半导体外延晶片,这是一种高性能材料,广泛应用于高压、高频、高温及高功率电子器件制造。
成立于2011年的瀚天天成,是中国首家实现3英寸至8英寸外延片商业化量产的公司。据披露数据,2024年Pre-IPO轮融资后,公司估值约达260亿元。随着中国外延片市场规模从2023年的88亿元预计增长至2025年的200亿元,这一赛道展现出巨大潜力。
01 - 产业链上下游

瀚天天成的核心收入来源是6英寸碳化硅外延晶片,2024年占总收入的86.2%。尽管2024年营收受行业价格战影响下降至9.74亿元,但政府补助支撑下净利润增至1.66亿元。
该产业链可分为上游原材料与设备、中游外延片制造与芯片加工以及下游封装与应用三个主要环节。
02 - 赛道全景

碳化硅半导体外延晶片由碳化硅单晶衬底和通过气相沉积技术生长的薄膜层组成,厚度通常为几十微米。
受益于新能源汽车与光伏行业的驱动,碳化硅外延晶片市场预计未来七年复合年增长率超25%,中国市场增速领先。当前赛道处于高速成长期,核心技术已趋于成熟,客户教育成本降低,但车规级认证标准尚未完全统一。
03 - 上游产业链剖析

上游涉及原材料与设备领域。国际上,Wolfspeed垄断8英寸衬底技术,Veeco/Aixtron主导高端外延设备市场,日本昭和电工等企业控制高纯气体供应。
国内方面,尽管在部分领域如MOCVD设备国产化率逐步提升,但在超薄切割设备和技术研发领域仍存在较大挑战。
04 - 中游产业链剖析

中游涵盖外延片制造与芯片加工环节。国际市场上,外延生长技术和器件验证占据主导地位;而国内市场在外延设备及烧结银封装领域逐步取得突破。
05 - 下游产业链剖析

下游覆盖封装与应用环节,包括新能源汽车、光伏逆变器等场景。国际企业在终端应用和技术支持方面占据优势,而国内在封装材料和认证体系领域仍有待加强。
06 - 新机会点分析

碳化硅半导体外延晶片的新机会聚焦于技术突破、场景扩展与产业链协同。技术端重点推进8英寸衬底量产及高纯度特气开发;应用端则围绕800V高压平台、1500V光伏逆变器等场景展开布局;产业链协同方面需加速本土化认证及设备替代,助力供应链安全。
本文数据来源于Yole Développement、IHS Markit、SEMI、彭博新能源财经及学术期刊IEEE Xplore、Elsevier等权威机构。
第三代半导体(SiC)产业动态
关键领域与研究进展
“十四五”规划明确了中国第三代半导体(SiC)的国产化目标,推动新能源汽车和光伏等行业的快速发展[1]。根据TrendForce的数据,光伏逆变器中使用的SiC模块价格持续下降,市场份额稳步增长[2]。
集邦咨询指出,在新能源汽车领域,采用SiC主驱逆变器的企业竞争格局日益清晰,技术壁垒成为主要竞争优势[3]。同时,学术期刊如《Applied Physics Letters》对SiC高温外延生长机理的研究取得新进展,为高性能器件提供了理论支持[4]。
在技术优化方面,《IEEE Electron Device Letters》发表了关于SiC MOSFET沟槽栅结构改进的文章,提出了一种显著提升器件可靠性的设计方案[5]。
注:本文不构成任何投资建议,内容综合参考了澎湃新闻、上海证券报等信息源。




